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IRFS31N20DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFS31N20DPBF
廠商型號(hào)

IRFS31N20DPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082廓 , ID = 31A )

文件大小

295.33 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 15:37:00

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IRFS31N20DPBF規(guī)格書詳情

Applications

High Frequency DC-DC converters

Lead-Free



Benefits

Low Gate to Drain to Reduce Switching Losses

Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design,

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFS31N20DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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