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IRFS4310Z	文件：1.11549 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Features ●AdvancedProcessTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●Dynamicdv/dtRating ●175°COperatingTemperature ●FastSwitching ●RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax ●Lead-Free,RoHSCompliant ●AutomotiveQualified*	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS4310Z	文件：244.92 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPo	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310ZTRLPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4310	文件：383.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?WorldwideBestRDS(on)inTO-220 ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4310	文件：330.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFSL4310	文件：299.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFSL4310PBF	文件：381.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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KSM4310	文件：649.85 Kbytes Page：5 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4310	文件：658.65 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KUWEN-4310	文件：134.48 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
KUWEN-4310/Q	文件：134.48 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
LCK4310	文件：126.32 Kbytes Page：10 Pages	Low-VoltagePLLClockDriver	agere Agere Systems	agere
LCK4310GF-DB	文件：126.32 Kbytes Page：10 Pages	Low-VoltagePLLClockDriver	agere Agere Systems	agere
LCK4310GF-DT	文件：126.32 Kbytes Page：10 Pages	Low-VoltagePLLClockDriver	agere Agere Systems	agere

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFS4310TRRPBF
功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRFS4310TRRPBF	IR	18+	TO-263	9860	一級代理/全新現(xiàn)貨/長期供應(yīng)!	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFS4310TRRPBF	Infineon(英飛凌)	23+	TO-263	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFS4310TRRPBF	IR	2020+	TO-263	674	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRFS4310TRRPBF	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFS4310TRRPBF	IR	1950+	TO-263	4856	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
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更多IRFS4310TRRPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-27 19:14:00

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