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IRFSL4127PbF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFSL4127PbF
廠商型號(hào)

IRFSL4127PbF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

361.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 20:00:00

IRFSL4127PbF規(guī)格書(shū)詳情

Benefits

● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

● Lead-Free

Applications

● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

● Uninterruptible Power Supply

● High Speed Power Switching

● Hard Switched and High Frequency Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFSL4127PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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