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IRFU3910PBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFU3910PBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount (IRFR3910)
● Straight Lead (IRFU3910)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFU3910PBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
17+ |
TO-251 |
988 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
19+ |
TO-251 |
233 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-251 |
34614 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
3018 |
只做原裝假一賠十 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
D-PAK |
65400 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-251 |
65300 |
一級(jí)代理/放心購買! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
10560 |
十年專營,原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO-251 |
60620 |
5963 |
詢價(jià) |
