IRFW710B中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
IRFW710B規(guī)格書(shū)詳情
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies and electronic lamp ballasts based on half bridge.
Features
? 2.0A, 400V, RDS(on) = 3.4? @VGS = 10 V
? Low gate charge ( typical 7.7 nC)
? Low Crss ( typical 6.0 pF)
? Fast switching
? 100 avalanche tested
? Improved dv/dt capability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFW710B
- 功能描述：
MOSFET 400V N-Channel B-FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
D2PAK |
7350 |
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詢(xún)價(jià) | |||
FAI |
22+23+ |
TO263 |
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22+ |
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FAIRCHILDRCHILD |
23+ |
SOT263 |
7000 |
詢(xún)價(jià) | |||
FAIRCHILDRCHILD |
2022+ |
SOT263 |
29880 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢(xún)價(jià) | ||
FAIRCHIL |
23+ |
TO-263 |
9500 |
專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢(xún)價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
12+ |
TO-263 |
15000 |
全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。 |
詢(xún)價(jià) |
