IRFZ44NL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFZ44NL |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| 文件大小 |
151.95 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-10 20:00:00 |
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Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known
for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRFZ44NS)
● Low-profile through-hole (IRFZ44NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFZ44NL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
8750 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
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7350 |
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詢價(jià) | ||
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23+ |
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356 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
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con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
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詢價(jià) | |||
IR |
TO-262 |
68500 |
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詢價(jià) | |||
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13880 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
