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IRFZ46NSTRR規(guī)格書詳情
Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Surface Mount(IRFZ46NS)
? Low-profile through-hole(IRFZ46NL)
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFZ46NSTRR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
3315 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價 | |||
INTERNATIONALRECTIFIER |
23+ |
36688 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
IR |
TO-220 |
貨真價實,假一罰十 |
25000 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
6800 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO263 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO263 |
7000 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
D2PAK |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
9500 |
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 |
