IRFZ48VS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFZ48VS規(guī)格書詳情
Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
1. Advanced Process Technology
2. Ultra Low On-Resistance
3. Dynamic dv/dt Rating
4. 175°C Operating Temperature
5. Fast Switching
6. Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFZ48VS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
D2-pak |
20000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
INTERNATIONA |
05+ |
原廠原裝 |
6566 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
08+ |
D2-pak |
20000 |
普通 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
2022 |
TO263 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
0224+ |
32350 |
原裝正品 假一罰十 公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
0224+ |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
原裝正品現(xiàn)貨 |
10000 |
0224+ |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 |
