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IRG4BC10KDPBF_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-英飛凌

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原廠料號(hào)：IRG4BC10KDPBF品牌：Infineon Technologies

資料說(shuō)明：IGBT 600V 9A 38W TO220AB

IRG4BC10KDPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-220-3的IRG4BC10KDPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    irg4bc10kdpbf

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 9A 38W TO220AB

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC10KDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.62V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    250μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    49ns/97ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 9A 38W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
TO-220
150
只做原廠渠道 可追溯貨源
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INFINEON
2023
NC
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全新、原裝
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24+
TO-220-3
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2020+
TO-220
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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Infineon
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3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
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