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IRG4BC15MD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC15MD |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC15MD 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 14A 49W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A) |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
256.399 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-1 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC15MD價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRG4BC15MD規(guī)格書詳情
Features
? Rugged: 10μsec short circuit capable at VGS = 15V
? Low VCE(on) for 4 to 10kHz applications
? IGBT co-packaged with ultra-soft-recovery anti-parallel diodes
? Industry standard TO-220AB package
Benefits
? Best Value for Appliance and Industrial applications
? Offers highest efficiency and short circuit capability for intermediate applications
? Provides best efficiency for the mid range frequency (4 to 10kHz)
? Optimized for Appliance and Industrial applications up to 1HP
? High noise immune Positive Only gate drive - Negative bias gate drive not necessary
? For Low EMI designs - requires little or no snubbing
? Single Package switch for bridge circuit applications
? Compatible with high voltage Gate Drive ICs
? Allows simpler gate drive
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC15MDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，8.6A
- 開關(guān)能量：
320μJ（開），1.93mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
21ns/540ns
- 測試條件：
480V，8.6A，75 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 14A 49W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
194 |
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詢價 | ||
IR |
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TO-220AB |
16800 |
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IR |
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IR |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
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IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
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