首頁>IRG4BC30S-S>芯片詳情

IRG4BC30S-S_IR/國際整流器_DIODE IGBT 600V 34A D2PAK納艾斯

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    IRG4BC30S-S

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IR

  • 庫存數(shù)量:

    8000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號:

    2020+

  • 庫存類型:

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間:

    2025-2-8 22:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:IRG4BC30S-S品牌:IR

只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增

  • 芯片型號:

    IRG4BC30S-S

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    IRF詳情

  • 廠商全稱:

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    204.24 kb

  • 資料說明:

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    IRG4BC30S-S

  • 功能描述:

    DIODE IGBT 600V 34A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 類型:

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce(開):

    3V @ 15V,100A 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PLUS247?-3

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    肖小姐

  • 手機:

    13117514091

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真:

    0755-82707495

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北路賽格大廈5803A