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IRG4BC30SPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
IRG4BC30SPBF |
參數(shù)屬性 | IRG4BC30SPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 34A 100W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
263.29 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-23 21:25:00 |
人工找貨 | IRG4BC30SPBF價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4BC30SPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.6V @ 15V,18A
- 開關(guān)能量:
260μJ(開),3.45mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
22ns/540ns
- 測試條件:
480V,18A,23 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 34A 100W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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