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IRG4BC40UPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IRG4BC40UPBF |
參數(shù)屬性 | IRG4BC40UPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 160W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
226.22 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-7 22:30:00 |
人工找貨 | IRG4BC40UPBF價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRG4BC40UPBF規(guī)格書(shū)詳情
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRG4BC40UPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,20A
- 開(kāi)關(guān)能量:
320μJ(開(kāi)),350μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
34ns/110ns
- 測(cè)試條件:
480V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 40A 160W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
159946 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-220 |
188600 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-220 |
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