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IRG4BH20K-L_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-英飛凌

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原廠料號(hào)：IRG4BH20K-L品牌：Infineon Technologies

資料說明：IGBT 1200V 11A 60W TO262

IRG4BH20K-L是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA的IRG4BH20K-L晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    irg4bh20k-l

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 11A 60W TO262

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BH20K-L

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    4.3V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    450μJ（開），440μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    23ns/93ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，5A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262

  • 描述：

    IGBT 1200V 11A 60W TO262

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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