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IRG4IBC20KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4IBC20KD
廠商型號(hào)

IRG4IBC20KD

參數(shù)屬性

IRG4IBC20KD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

199.67 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-31 23:00:00

IRG4IBC20KD規(guī)格書詳情

Features

? High switching speed optimized for up to 25kHz

with low VCE(on)

? Short Circuit Rating 10μs @ 125°C, VGE = 15V

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard TO-220 FULLPAK

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

maximizing the power density of the system

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise EMI

? Designed to exceed the power handling capability of

equivalent industry-standard IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4IBC20KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 開關(guān)能量:

    340μJ(開),300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    54ns/180ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,9A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO220-FP

  • 描述:

    IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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