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IRG4P254S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4P254S
廠商型號

IRG4P254S

參數(shù)屬性

IRG4P254S 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 250V 98A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

134.16 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-8 20:00:00

IRG4P254S規(guī)格書詳情

Features

? Standard: Optimized for minimum saturation

voltage and operating frequencies up to 10kHz

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? Industry standard TO-247AC package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

? High Power density

? Lower conduction losses than similarly rated MOSFET

? Lower Gate Charge than equivalent MOSFET

? Simple Gate Drive characteristics compared to Thyristors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4P254S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,55A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),3.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    40ns/270ns

  • 測試條件:

    200V,55A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 250V 98A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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