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IRG4PC30W分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC30W
廠商型號

IRG4PC30W
參數(shù)屬性

IRG4PC30W 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 23A TO247AC
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
文件大小

123.28 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-6 22:30:00

IRG4PC30W規(guī)格書詳情

Features

? Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

? Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

Benefits

? Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150 kHz (hard switched mode)

? Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

? Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PC30WPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，12A

  • 開關能量：

    130μJ（開），130μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    25ns/99ns

  • 測試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 23A TO247AC

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