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IRG4PC50FD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC50FD
廠商型號(hào)

IRG4PC50FD

參數(shù)屬性

IRG4PC50FD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A 200W TO247AC

功能描述

N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

343.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-10 20:00:00

IRG4PC50FD規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.6V@IC= 39A

· High Current Capability

· High Input Impedance

· Low Conduction Loss

APPLICATIONS

· Synchronous Rectification in SMPS

· Motor Drives

· UPS,PFC

· General purpose inverter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PC50FDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,39A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.5mJ(開(kāi)),2.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    55ns/240ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,39A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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