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IRG4PC50SPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PC50SPBF
廠商型號(hào)

IRG4PC50SPBF

參數(shù)屬性

IRG4PC50SPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

982.79 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-8 22:30:00

IRG4PC50SPBF規(guī)格書詳情

VCES = 600V

VCE(on) typ. = 1.28V

@VGE = 15V, IC = 41A

Features

? Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

? Industry standard TO-247AC package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PC50SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.36V @ 15V,41A

  • 開關(guān)能量:

    720μJ(開),8.27mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    33ns/650ns

  • 測試條件:

    480V,41A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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