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IRG4PC50SPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IRG4PC50SPBF |
參數(shù)屬性 | IRG4PC50SPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A 200W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
982.79 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-8 22:30:00 |
IRG4PC50SPBF規(guī)格書詳情
VCES = 600V
VCE(on) typ. = 1.28V
@VGE = 15V, IC = 41A
Features
? Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
? Industry standard TO-247AC package
? Lead-Free
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRG4PC50SPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.36V @ 15V,41A
- 開關(guān)能量:
720μJ(開),8.27mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
33ns/650ns
- 測試條件:
480V,41A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 600V 70A 200W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO247 |
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