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IRG4PF50W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PF50W
廠商型號

IRG4PF50W

參數(shù)屬性

IRG4PF50W 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 51A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

138.73 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-16 17:17:00

IRG4PF50W規(guī)格書詳情

VCES = 900V

VCE(on) typ. = 2.25V

@VGE = 15V, IC = 28A

Benefits

? Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger die MOSFETs up to 100kHz

? Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher

? Reduction in critical Eoff parameter due to minimal minority-carrier recombination coupled with low on state losses allow maximum flexibility in device application

Features

? Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications

? Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest technology IGBT design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4PF50WDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,28A

  • 開關(guān)能量:

    2.63mJ(開),1.34mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    71ns/150ns

  • 測試條件:

    720V,28A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 900V 51A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
20+
TO-247
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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原裝環(huán)保房間現(xiàn)貨假一賠十
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TO-247(AC)
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原裝現(xiàn)貨正品
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