IRG4PF50W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IRG4PF50W |
參數(shù)屬性 | IRG4PF50W 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 51A 200W TO247AC |
功能描述 | IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
328.13 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-16 17:17:00 |
IRG4PF50W規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Low Gate Drive Requirement
· High Current Handling Capability
· Short Circuit Capability
· High Power Density
APPLICATIONS
· Power Inverters
· Motor Drives
· UPS,PFC
· High Voltage Auxiliaries
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4PF50WDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,28A
- 開關(guān)能量:
2.63mJ(開),1.34mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
71ns/150ns
- 測試條件:
720V,28A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 900V 51A 200W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-247 |
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