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IRG4PH40UD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PH40UD
廠商型號

IRG4PH40UD
參數屬性

IRG4PH40UD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1200V 41A 160W TO247-3
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

220.5 Kbytes
頁面數量

10 頁
生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-20 23:00:00

IRG4PH40UD規(guī)格書詳情

Features

? UltraFast: Optimized for high operating

frequencies up to 40 kHz in hard switching,

>200 kHz in resonant mode

? New IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard TO-247AC package

Benefits

? Higher switching frequency capability than

competitive IGBTs

? Highest efficiency available

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

產品屬性

  • 產品編號：

    IRG4PH40UD-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.1V @ 15V，21A

  • 開關能量：

    1.8mJ（開），1.93mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    46ns/97ns

  • 測試條件：

    800V，21A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 41A 160W TO247-3

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