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IRG4RC10分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4RC10
廠商型號

IRG4RC10
參數(shù)屬性

IRG4RC10 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

134.98 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-19 23:00:00

IRG4RC10規(guī)格書詳情

Features

? Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V

? Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3

? Industry standard TO-252AA package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4RC10KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.62V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    250μJ（開），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    49ns/97ns

  • 測試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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