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IRG4RC10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4RC10
廠商型號(hào)

IRG4RC10
參數(shù)屬性

IRG4RC10 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

120.87 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 9:34:00
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IRG4RC10規(guī)格書詳情

Features

? Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C

? Standard: Optimized for minimum saturation

voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

? Industry standard TO-252AA package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4RC10KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.62V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    250μJ（開），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    49ns/97ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理
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