首頁(yè)>IRG7PH30K10DPBF>詳情

IRG7PH30K10DPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IR/國(guó)際整流器

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IRG7PH30K10DPBF

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9852

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    1822+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-7 16:41:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：IRG7PH30K10DPBF品牌：IR

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!

  • 芯片型號(hào)：

    IRG7PH30K10DPBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    442.4 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG7PH30K10DPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，9A

  • 開關(guān)能量：

    530μJ（開），380μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    14ns/110ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，9A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 180W TO247AC

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機(jī)：

    13424246946

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

相近型號(hào)