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IRG7PH35UD1-EP 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IR/國(guó)際整流器

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    IRG7PH35UD1-EP

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    2060

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-21 15:00:00

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原廠(chǎng)料號(hào)：IRG7PH35UD1-EP品牌：IR

只做原廠(chǎng)渠道 可追溯貨源

  • 芯片型號(hào)：

    IRG7PH35UD1-EP

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IRF詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    406.99 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG7PH35UD1-EP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    620μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/160ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 179W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市坤融電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    黃先生

  • 手機(jī)：

    13510287235

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-23990975

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層I

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