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IRG7PH35UD1-EP 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IR/國際整流器

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  • 廠家型號(hào)：

    IRG7PH35UD1-EP

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IR

  • 庫存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3P

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-6 13:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRG7PH35UD1-EP品牌：IR

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號(hào)：

    IRG7PH35UD1-EP

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    406.99 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG7PH35UD1-EP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    620μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/160ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 179W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝云

  • 手機(jī)：

    19924902278

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83204142

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17e

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