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IRG7PH50K10DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG7PH50K10DPBF
廠商型號

IRG7PH50K10DPBF
參數(shù)屬性

IRG7PH50K10DPBF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

550.3 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-8 18:01:00

IRG7PH50K10DPBF規(guī)格書詳情

Features

Low VCE(ON) and switching losses

10μs Short Circuit SOA

Square RBSOA

Maximum Junction Temperature 150°C

Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

Benefits

High efficiency in a Wide Range of Applications

Increased Reliability

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Rugged Transient Performance

Applications

? Industrial Motor Drive

? UPS

? Solar Inverters

? Welding

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG7PH50K10DPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，35A

  • 開關能量：

    2.3mJ（開），1.6mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    90ns/340ns

  • 測試條件：

    600V，35A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 90A 400W TO247AC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
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