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IRGB4059DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號(hào) |
IRGB4059DPBF |
參數(shù)屬性 | IRGB4059DPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 8A 56W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
286.34 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-23 23:00:00 |
人工找貨 | IRGB4059DPBF價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRGB4059DPBF規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Trench IGBT Technology
? Low Switching Losses
? Maximum Junction temperature 175 °C
? 5μs SCSOA
? Square RBSOA
? 100 of The Parts Tested for 4X Rated Current (ILM)
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode
? Tighter Distribution of Parameters
? Lead-Free Package
Benefits
? High Efficiency in a Wide Range of Applications
? Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching Losses
? Rugged Transient Performance for Increased Reliability
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation
? Low EMI
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRGB4059DPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.05V @ 15V,4A
- 開關(guān)能量:
35μJ(開),75μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
25ns/65ns
- 測(cè)試條件:
400V,4A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 8A 56W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
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