IRGB4B60KD1PBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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廠家型號：
IRGB4B60KD1PBF
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
Infineon Technologies
庫存數(shù)量：
8000
產(chǎn)品封裝：
原裝
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-15 11:00:00

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詳細信息
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原廠料號：IRGB4B60KD1PBF品牌：Infineon Technologies

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IRGB4B60KD1PBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝原裝/TO-220-3的IRGB4B60KD1PBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號：
IRGB4B60KD1PBF
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
IRF詳情
廠商全稱：
International Rectifier
內(nèi)容頁數(shù)：
16 頁
文件大?。?/span>
442.69 kb
資料說明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IRGB4B60KD1PBF
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，4A
開關(guān)能量：
73μJ（開），47μJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/100ns
測試條件：
400V，4A，100 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
描述：
IGBT NPT 600V 11A TO220AB

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市安富世紀電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
趙妍
手機：
18100277303
詢價：
電話：
0755-23991454
地址：
深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17E

IRGB4B60KD1PBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGB4B60KD1PBF

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