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IRGB4B60KPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IRGB4B60KPBF |
參數(shù)屬性 | IRGB4B60KPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 12A 63W TO220A |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
366.25 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-11 19:13:00 |
IRGB4B60KPBF規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
? Lead-Free.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGB4B60KPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,4A
- 開關(guān)能量:
130μJ(開),83μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
22ns/100ns
- 測試條件:
400V,4A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 12A 63W TO220A
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
16800 |
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詢價(jià) | ||
IR |
2022 |
TO-220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
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IR |
24+ |
TO-220-3 |
127 |
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IR |
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TO220A |
25000 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220AB |
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