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IRGBC30S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRGBC30S
廠商型號(hào)

IRGBC30S

參數(shù)屬性

IRGBC30S 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT STD 600V 34A TO-220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)

文件大小

252.17 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 19:10:00

IRGBC30S規(guī)格書(shū)詳情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for line frequency operation ( to 400 Hz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency Curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGBC30S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,18A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT STD 600V 34A TO-220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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24+
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