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IRGIB10B60KD1P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號(hào)：

    IRGIB10B60KD1P

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    con

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-11 15:00:00

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原廠料號(hào)：IRGIB10B60KD1P品牌：INFINEON

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IRGIB10B60KD1P是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝con/TO-220-3 整包的IRGIB10B60KD1P晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IRGIB10B60KD1P

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    453.78 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGIB10B60KD1P

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    156μJ（開(kāi)），165μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    25ns/180ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，10A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 16A 44W TO220FP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    北京京北通宇電子元件有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    洪先生

  • 手機(jī)：

    17862669251

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    17862669251

  • 地址：

    北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505

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