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IRGIB6B60KD116P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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  • 廠家型號(hào)：

    IRGIB6B60KD116P

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    68900

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO220

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    IR

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-7 16:42:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRGIB6B60KD116P

原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!

  • 芯片型號(hào)：

    IRGIB6B60KD116P

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    282.83 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGIB6B60KD116P

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    110μJ（開），135μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    25ns/215ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 11A 38W TO220FP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    司先生

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82785677

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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