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IRGP20B120U-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP20B120U-E
廠商型號

IRGP20B120U-E

參數(shù)屬性

IRGP20B120U-E 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 40A TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

106.34 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-24 18:27:00

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IRGP20B120U-E規(guī)格書詳情

Features

? UltraFast Non Punch Through (NPT) Technology

? 10 μs Short Circuit capability

? Square RBSOA

? Positive VCE(on) Temperature Coefficient

? Extended lead TO-247 package

Benefits

? Benchmark efficiency above 20KHz

? Optimized for Welding, UPS, and Induction Heating applications

? Rugged with UltraFast performance

? Low EMI

? Significantly Less Snubber required

? Excellent Current sharing in Parallel operation

? Longer leads for easier mounting

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP20B120U-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4.85V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    850μJ(開),425μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 測試條件:

    600V,20A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 40A TO247AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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