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IRGP4063-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRGP4063-EPBF
廠商型號(hào)

IRGP4063-EPBF

參數(shù)屬性

IRGP4063-EPBF 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 96A 330W TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

264 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-23 23:01:00

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IRGP4063-EPBF規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

? Low switching losses

? Maximum Junction temperature 175 °C

? 5 μS short circuit SOA

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for ILM 

? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient

? Tight parameter distribution

? Lead Free Package

Benefits

? High Efficiency in a wide range of applications

? Suitable for a wide range of switching frequencies due to

Low VCE (ON) and Low Switching losses

? Rugged transient Performance for increased reliability

? Excellent Current sharing in parallel operation

? Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGP4063-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.14V @ 15V,48A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    625μJ(開(kāi)),1.28mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    60ns/145ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,48A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 96A 330W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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NA/
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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