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IRGP4263D-EPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGP4263D-EPBF參考圖片

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  • 廠家型號：

    IRGP4263D-EPBF

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫存數(shù)量：

    7000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247AD

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-15 8:49:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IRGP4263D-EPBF品牌：INFINEON

IRGP4263D-EPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247AD/TO-247-3的IRGP4263D-EPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IRGP4263D-EPbF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大小：

    929.42 kb

  • 資料說明：

    Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGP4263D-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，48A

  • 開關(guān)能量：

    2.9mJ（開），1.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    70ns/140ns

  • 測試條件：

    400V，48A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 650V 90A 325W TO-247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    馬總

  • 手機：

    18322198211

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  • 地址：

    天津市南開區(qū)科研西路12號356室

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