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IRGP4266D-EPbF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRGP4266D-EPbF
廠商型號(hào)

IRGP4266D-EPbF

參數(shù)屬性

IRGP4266D-EPbF 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 140A 455W TO247AD

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IGBT 650V 140A 455W TO247AD

文件大小

869.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-26 22:30:00

IRGP4266D-EPbF規(guī)格書(shū)詳情

IRGP4266D-EPbF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRGP4266D-EPbF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? ?Low VCE(ON) and Switching Losses

? ?5.5μs Short Circuit SOA

? ?Square RBSOA

? ?Maximum Junction Temperature 175°C

? ?Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient

Benefits

? ?High Efficiency in a Wide Range of Applications

? ?Increased Reliability

? ?Excellent Current Sharing in Parallel Operation

? ?Rugged Transient Performance

Applications

? Industrial Motor Drive

? UPS

? Solar Inverters

? Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGP4266D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.5mJ(開(kāi)),2.2mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    50ns/200ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 650V 140A 455W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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