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IRGP4266D-EPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP4266D-EPBF
廠商型號

IRGP4266D-EPBF
參數(shù)屬性

IRGP4266D-EPBF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 140A 455W TO247AD
功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

753.49 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-3-9 22:30:00
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IRGP4266D-EPBF規(guī)格書詳情

Features

Low VCE(ON) and Switching Losses

5.5μs Short Circuit SOA

Square RBSOA

Maximum Junction Temperature 175°C

Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient

Benefits

High Efficiency in a Wide Range of Applications

Increased Reliability

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Rugged Transient Performance

Applications

? Industrial Motor Drive

? UPS

? Solar Inverters

? Welding

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGP4266D-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，75A

  • 開關能量：

    2.5mJ（開），2.2mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    50ns/200ns

  • 測試條件：

    400V，75A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 650V 140A 455W TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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