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零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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IRGP50B60PD1-EP | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61m? ID(FETequivalent)=50A Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?H | IRF International Rectifier | IRF | |
IRGP50B60PD1-EP | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IRF International Rectifier | IRF | |
IRGP50B60PD1-EP | 包裝:管件 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT NPT 600V 75A TO247AD | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IRF International Rectifier | IRF | ||
IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V(Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE | IRF International Rectifier | IRF | ||
WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE | IRF International Rectifier | IRF | ||
WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE | IRF International Rectifier | IRF | ||
WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode ?TighterDistributionofParameter | IRF International Rectifier | IRF | ||
WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE | IRF International Rectifier | IRF |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGP50B60PD1-EP
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.85V @ 15V,50A
- 開關(guān)能量:
255μJ(開),375μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
30ns/130ns
- 測試條件:
390V,33A,3.3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AD
- 描述:
IGBT NPT 600V 75A TO247AD
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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Infineon |
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INFINEON |
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Infineon Technologies |
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原裝 |
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IR |
21+ |
TO-247AD |
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Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
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