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IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61m? ID(FETequivalent)=50A Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?H

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International Rectifier

IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PD1-EP

包裝:管件 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT NPT 600V 75A TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGP50B60PD1-EP_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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AUIRGP50B60PD1

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V(Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AUIRGP50B60PD1

WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRGP50B60PD1E

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode ?TighterDistributionofParameter

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IRGP50B60PD1PBF

WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP50B60PD1-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.85V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    255μJ(開),375μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/130ns

  • 測試條件:

    390V,33A,3.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 75A TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRGP50B60PD1-EP供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 10:18:00