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IRGPH50分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRGPH50
廠商型號(hào)

IRGPH50

參數(shù)屬性

IRGPH50 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT FAST 1200V 45A TO-247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

267.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-19 9:18:00

IRGPH50規(guī)格書(shū)詳情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, highcurrent applications.

Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for medium operating frequency (1 to 10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGPH50F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,25A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT FAST 1200V 45A TO-247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
SMD
20000
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
INTERNATIONA
05+
原廠原裝
11441
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價(jià)
IR
23+
TO-247
3000
全新原裝
詢價(jià)
IR
TO3P
27413
只做原裝貨值得信賴
詢價(jià)
IR
15+
TO-247
11560
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存,長(zhǎng)期供應(yīng)
詢價(jià)
IR
23+
TO-247
35890
詢價(jià)
IR
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TO-3P
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TO-247
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原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢
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23+
TO
7000
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2023+
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7165
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詢價(jià)