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IRGPS60B120KDP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGPS60B120KDP
廠商型號(hào)

IRGPS60B120KDP

參數(shù)屬性

IRGPS60B120KDP 封裝/外殼為TO-274AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 105A 595W SUPER247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT

絲印標(biāo)識(shí)

GPS60B120KD

封裝外殼

TO-274AA

文件大小

136.16 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 13:00:00

IRGPS60B120KDP規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Super-247 Package.

? Lead-Free

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Significantly Less Snubber Required

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGPS60B120KDP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    3.21mJ(開),4.78mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    600V,15A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-274AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SUPER-247?(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 1200V 105A 595W SUPER247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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詢價(jià)