首頁>IRGR2B60KDPBF>詳情

IRGR2B60KDPBF 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGR2B60KDPBF參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IRGR2B60KDPBF品牌：Infineon Technologies

原裝正品,提供BOM配單服務(wù)

IRGR2B60KDPBF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝原裝/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的IRGR2B60KDPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IRGR2B60KDPBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大小：

    751.33 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRGR2B60KDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.25V @ 15V，2A

  • 開關(guān)能量：

    74μJ（開），39μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    11ns/150ns

  • 測試條件：

    400V，2A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 6.3A 35W DPAK

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市億智騰科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生/王小姐

  • 手機：

    17377264928

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83226012

  • 傳真：

    0755-83226012

  • 地址：

    福田區(qū)華強北街道振興南路華勻大廈1棟4樓412A

相近型號