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IRGR3B60KD2TRRP_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊艾睿國(guó)際

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  • 廠家型號(hào)：

    IRGR3B60KD2TRRP

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    100500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMD

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2021+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-31 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRGR3B60KD2TRRP品牌：INFINEON/英飛凌

一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨

  • 芯片型號(hào)：

    IRGR3B60KD2TRRP

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    14 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    318.84 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IRGR3B60KD2TRRP

  • 功能描述：

    IGBT 模塊

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    艾睿國(guó)際（香港）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蔡小姐

  • 手機(jī)：

    15813737183

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    15813737183

  • 地址：

    香港上環(huán)永樂(lè)街121-125號(hào)永達(dá)商業(yè)大廈3樓A室

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