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IRGS4055PBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRGS4055PBF
廠商型號(hào)

IRGS4055PBF

參數(shù)屬性

IRGS4055PBF 封裝/外殼為T(mén)O-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 300V 110A 255W D2PAK

功能描述

PDP TRENCH 1GBT

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

704.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-4 19:09:00

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IRGS4055PBF規(guī)格書(shū)詳情

Features

Advanced Trench IGBT Technology

Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications

Low VCE(on)and Energy per Pulse (EPULSE?) for improved panel efficiency

High repetitive peak current capability

Lead Free package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGS4055PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,110A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    44ns/245ns

  • 測(cè)試條件:

    180V,35A,10 歐姆

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 300V 110A 255W D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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D2PAK
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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