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IRGS4056DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedfor4Xratedcurrent(ILM) ?PositiveVCE(ON)Temperatureco-efficient ?UltrafastsoftRecoveryCo-PakDiode ?T

IRF

International Rectifier

IRGS4056DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRGS4056DPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

LP4056H

1AStandaloneLinearLi-IonBatteryCharger

POWERLowpower Semiconductor inc

微源半導(dǎo)體微源半導(dǎo)體股份有限公司

MA4056

Siliconplanartype

Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features ?Highreliability,achievedbytheDHDstructure ?Allowingtoinserttoa5mmpitchhole ?Finelydividedzener-voltagerank ?Sharprisingperformance ?Widevoltagerange:VZ=2.0Vto39V

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MAZ4056

Siliconplanartype

Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features ?Extremelylownoisevoltagecausedfromdiode(1/3to1/10ofourconventionalMAZ4000series) ?Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) ?Easy-to-identifythezener-voltagerankbythecolorbands ?Easy

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MAZ4056

Siliconplanartype

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MAZ4056

ZenerDiodesSiliconplanartype

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRGS4056DPBF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V Low VCEon

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
D2PAK
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
International Rectifier
2022+
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全新原裝 貨期兩周
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1931+
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TO-263
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10000
公司只做原裝正品
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公司只售原裝,支持實單
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D2PAK
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原裝正品，支持實單
 詢價
更多IRGS4056DPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 14:04:00

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