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IRGS6B60KPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRGS6B60KPBF
廠商型號(hào)

IRGS6B60KPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

295.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 23:21:00

IRGS6B60KPBF規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Lead-Free.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRGS6B60KPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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