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IRGVH50F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRGVH50F

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258AA

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更多IRGVH50F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 9:02:00