IRL1004S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL1004S規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Logic-Level Gate Drive
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL1004S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO 220 |
161319 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO-263 |
28998 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
