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IRL2505L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL2505L
廠商型號(hào)

IRL2505L

功能描述

Power MOSFET

文件大小

178.32 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-16 8:24:00

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IRL2505L規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of

applications.

Advanced Process Technology

Surface Mount (IRL2505S)

Low-profile through-hole (IRL2505L)

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Logic-Level Gate Drive

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL2505L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 104A TO-262

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
2022+
TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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行業(yè)低價(jià),代理渠道
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Infineon Technologies
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原裝
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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